エレクトロニクス実装学会主催の「マイクロエレクトロニクスシンポジウム（MES）」が9月3〜5日に大阪大学中ノ島センターで開催され、560名が参加した。弊社関連の注目研究として、まず産総研・NECによる量子コンピューター用TSV技術が紹介された。当社のめっき装置が超電導量子アニーリング回路製造に貢献し、空洞共振モード抑制に成功。もう一つは関西大学のCoMn無電解めっき技術で、Cu拡散を抑制し、TSV内部に均一なバリア膜形成を実現した研究。いずれも大規模量子回路や3D半導体の基盤技術として期待され、当社は今後も先端実装技術の発展に貢献していく方針です。

こんにちは、営業部のTZです。 2022年12月14日～12月16日に東京ビッグサイト（東７ホール）で開催されます「中小企業 研究開発（サポイン/サビサポ）展」に出展しました！ (東京ビッグサイト東8ホール、ブース#①－23)...

こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、無電解CoWBめっきによりバリア層形成を行い、電解Cuめっきによるコンフォーマルな配線形成により、低コストなTSV形成技術を実現させる、弊社めっき技術開発のお話をさせていただこうと思います。...

こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、無電解めっきによるCu拡散バリア層、シード層形成から、電解めっきによる配線形成を1台の装置で一気通貫に処理可能なめっき装置及びプロセス開発のお話をさせていただこうと思います。 最先端デバイスのモノづくりに不可欠なめっきプロセス...

こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、次世代電子デバイスのキーテクノロジーであるシリコン貫通電極(TSV)形成を低コストで実現させる弊社めっき技術開発のお話をさせていただこうと思います。 チップ間の配線距離の最短化に必要なテクノロジーとなるシリコン貫通電極(TSV...