こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、無電解CoWBめっきによりバリア層形成を行い、電解Cuめっきによるコンフォーマルな配線形成により、低コストなTSV形成技術を実現させる、弊社めっき技術開発のお話をさせていただこうと思います。...

こんにちは、営業部のTZです。 世界的な電力需要ひっ迫に伴う省エネ化と、地球温暖化問題への対策が求められる中、現在パワー半導体市場が拡大しています。 特に自動車産業においては、ハイブリッド車、電気自動車の普及拡大に伴い、シリコンIGBTを主としたパワーモジュールの需要が拡大...

こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、熱膨張係数のミスマッチによる熱処理工程で不具合が発生しやすい銅めっき配線において、その熱膨張を抑える低線膨張銅めっき技術開発のお話をさせていただこうと思います。 熱膨張係数のミスマッチによるリスクが高い銅めっき...

こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、温度変化の大きいプロセスで使用する金型や構造体など、金属材料でかつ熱膨張係数を低く抑えたい薄膜や微細構造形成において応用されている、NiFe合金めっき/電鋳技術開発のお話をさせていただこうと思います。...

こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、無電解めっきによるCu拡散バリア層、シード層形成から、電解めっきによる配線形成を1台の装置で一気通貫に処理可能なめっき装置及びプロセス開発のお話をさせていただこうと思います。 最先端デバイスのモノづくりに不可欠なめっきプロセス...

こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、様々な電子デバイス製品分野で応用されているニッケル電鋳（エレクトロフォーミング：Electroforming）プロセスについて、弊社の低応力ニッケルめっき技術開発のお話をさせていただこうと思います。...

こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、めっき工程で極めて重要な前処理、後処理と弊社の試みについて、お話をさせてただこうと思います。 めっき工程での前処理、後処理の5つのポイント ウエハや基板製品のめっき工程においては、前処理によって、基板表面をクリーンな状態に保ち...

こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、次世代電子デバイスのキーテクノロジーであるシリコン貫通電極(TSV)形成を低コストで実現させる弊社めっき技術開発のお話をさせていただこうと思います。 チップ間の配線距離の最短化に必要なテクノロジーとなるシリコン貫通電極(TSV...