【ICEP2025参加レポート】半導体先端パッケージングの潮流に乗る！東設のめっき装置技術開発の取り組み

こんにちは、営業部のTZです。

2025年4月１５日～１８日に長野市で開催された国際学会ICEP（International Conference on Electronics Packaging）に参加させていただきました！

本学会では、国内外の大学、デバイスメーカー、材料メーカー、装置メーカーなどから過去最多となる約950名の研究者、技術者が参加し、活発な技術交流が行われ、先端パッケージング技術が半導体業界において極めて重要な位置づけとなっていることがうかがえます。

弊社は、電子デバイス製造分野のめっき装置の開発・設計・製作・サポートサービスを行う専門メーカーとして、めっきプロセス周辺の最新の技術動向をリサーチする目的で参加しました。

注目された最新トレンドとその技術的背景

今回のICEP2025では、以下のような技術トピックが多く取り上げられており、今後のめっき装置の研究開発において重要なヒントを得ることができました。

半導体パッケージングの分野は多岐にわたりますが、チップレット、大型のインターポーザ基板、ハイブリッドボンディング、微細めっき配線の研究開発動向に特に注目しました。

チップレット技術の台頭（AI・ビッグデータサーバー用途）
AIやビッグデータ用途の高性能なコンピューティングを実現する半導体の需要拡大に伴い、複数の異なる働きを持つ半導体チップをパッケージ内で接続する「チップレット」構造が注目を集めています。

これにより、大容量のデータ処理、低遅延、低消費電力な半導体システムの構築が可能になります。

しかし、高性能かつ低コストのチップレットの製造においては、設計、製造装置、材料、検査システムの更なる高度化が求められるため、ある企業が単独で実現できるものではなく、数多くの企業が連携しなくては実現できないものだと感じました。

大型インターポーザ基板（樹脂・ガラス）による配線技術
チップレットの面積の大型化に伴い、チップレットの量産化とコストダウンを図るには、従来のシリコン基板では基板１枚当りの取れ数に限界があることから、樹脂基板やガラス基板を用いたRDL（再配線層）形成やCuピラー形成技術の開発が急速に進んでいるようです。
これらの大型基板上において、シリコンの加工精度と同レベルの高密度かつ微細な配線形成技術が求められています。

今回は特に、ガラスコア、ガラスインターポーザの加工技術に関する発表が数多くみられました。ガラスは、樹脂と比較して、加工精度が高く、熱膨張係数がシリコンに近いことから基板の反りが少ない点が優れています。

その一方で、スルーホールの加工や、銅めっき配線形成が困難であるため、量産技術の確立に向けて、様々な研究開発が行われています。

ハイブリッドボンディング技術
チップ間の３次元方向の接合方法として、従来のはんだ接合に代わり、ハイブリッドボンディング（Cu-Cu直接接合）にシフトしつつあります。この技術によりデバイス性能を大幅に高めることができます。今回もこの分野の発表が数多くみられました。

ウエハToウエハだけでなく、チップToウエハの接合にも課題があり、多くの研究が行われています。

この分野では、接合温度の低温化を目的としたCuめっき膜の開発が行われています。

微細めっき配線のニーズ拡大
チップレットにおいては、配線幅/配線間隔が数マイクロメートルクラスの微細な配線形成技術が求められており、それに対応する高精度めっき技術・装置への関心が高まっています。

RDL配線、Cuピラー、マイクロバンプなど、めっきプロセスの高度化が求められている分野です。