こんにちは、営業部のTZです。 東設は、ウエハ・基板向けの電解めっき装置を、先端電子デバイスの製造現場へ数多く納入してきました。 近年拡大する生成AIへの投資は、弊社のめっき装置ビジネスにも大きな影響を及ぼしています。 そこで本シリーズでは、市場の視点から、東設のめっき装置が果たす役割をご紹介します。 この記事では、チップレット・3次元半導体の拡大で注目される先端パッケージングと、微細配線電極形成用銅めっき、フェイスアップ式についてお届けします。ご参考になれば幸いです。 かつて、半導体の価値創出は「前工程がすべて」と言われてきました。微細化を競う前工程が、性能向上の主戦場だったためです。 しかし現在、その重心は後工程にも広がっています。複数のチップを高密度に接続する先端パッケージングは、AIチップの性能を左右する重要な技術として存在感を高めています。 本記事では、先端パッケージング市場の成長と、配線形成工程でフェイスアップ式めっきが果たす役割を解説します。AI需要連鎖とめっき技術の関係を俯瞰する「総論編」の詳細記事です。 この記事のポイント...

こんにちは、営業部のTZです。 aiインフラ投資で再評価されるめっき技術――hbm・hdd・先端パッケージングをつなぐ東設の技術領域東設は、ウエハ・基板向けの電解めっき装置を、先端電子デバイスの製造現場へ数多く納入してきました。 近年拡大する生成AIへの投資は、弊社のめっき装置ビジネスにも大きな影響を及ぼしています。 そこで本シリーズでは、市場の視点から、東設のめっき装置が果たす役割をご紹介します。 この記事では、生成AI投資がHBM、HDD（ハードディスクドライブ）、先端パッケージング、検査工程へ広がるなかで、東設のめっき装置が担う役割についてお届けします。ご参考になれば幸いです。 生成AIへの投資拡大を背景に、半導体産業は大きな転換期を迎えています。 注目されるのは、最先端ロジックチップだけではありません。 メモリ、ストレージ、先端パッケージング、さらに検査工程に至るまで、製造プロセスのさまざまな場面で「めっき」技術の重要性が高まっています。 本記事では、AIインフラ投資が生み出す需要の広がりを俯瞰します。 そのうえで、各工程の接点を支えるめ

株式会社東設（本社：埼玉県入間市寺竹４６－１３、代表取締役：押部 弘、以下「東設」）は、 2025年10月1日付で一般社団法人 日本OSAT連合会（J-OSAT）に賛助会員として入会 したことをお知らせします。 　日本OSAT連合会（J-OSAT）は、日本の半導体後工程（OSAT：Outsourced Semiconductor Assembly and Test）産業の発展と競争力強化を目的に、技術の高度化、人材育成、業界連携、情報発信などを推進する団体です。 　東設はJ-OSATへの参画を通じて、先端パッケージングを中心とした“中工程”領域における技術連携を深め、国内外の顧客課題解決に貢献してまいります。 日本OSAT連合会（J-OSAT）について 　半導体の製造は、回路形成を行う前工程だけでなく、チップを実装・接続し、テストを通じて最終製品へと仕上げる後工程によって成り立っています。 　J-OSATは、こうした後工程領域に関わる企業・団体が連携し、国内産業の基盤強化を図ることを目的に活動しています。 　AIや高性能計算（HPC）需要の拡大に

こんにちは、営業部のTZです。 この記事では、電子デバイス製品の研究開発を強力にサポートする東設の研究開発用めっき装置製品シリーズ「Tosetz R&D Tool」をご紹介します。 半導体デバイスの開発競争が激化する現在、「新製品の市場投入までのスピード」がこれまで以上に重要な価値となっています。 特にAI、データセンター向け2.5D/3D-IC、チップレット、量子コンピュータ、IoT、次世代パワーデバイスなどの先端領域では、研究開発フェーズにおける、スピーディーな試作・検証が、企業の競争力を大きく左右します。 そのため、企業の研究開発部門や、大学の研究室では、短期間でプロトタイプの試作したい、少量品でも安定したプロセスを確立したい、実験条件を柔軟に変えられる装置がほしい というニーズが急速に高まっています。 このような背景から、東設への開発用めっき装置のお問い合わせが年々増えています。 東設では現在、大型の角基板にも対応できる、微細配線の形成が可能な実験・試作機の開発にも取り組んでいます。

エレクトロニクス実装学会主催の「マイクロエレクトロニクスシンポジウム（MES）」が9月3〜5日に大阪大学中ノ島センターで開催され、560名が参加した。弊社関連の注目研究として、まず産総研・NECによる量子コンピューター用TSV技術が紹介された。当社のめっき装置が超電導量子アニーリング回路製造に貢献し、空洞共振モード抑制に成功。もう一つは関西大学のCoMn無電解めっき技術で、Cu拡散を抑制し、TSV内部に均一なバリア膜形成を実現した研究。いずれも大規模量子回路や3D半導体の基盤技術として期待され、当社は今後も先端実装技術の発展に貢献していく方針です。

こんにちは、営業部のTZです。 この度、国内の某 センサーメーカー 様より、 インジウムバンプ形成工程用途の300mmフェイスアップ式めっき装置 のご注文を頂きました。 金属の中でも、金属と半導体の性質を持つインジウムは、半導体デバイスの材料として重要な役割を...

こんにちは、営業部のTZです。 弊社は 電子デバイスの配線、電極形成用途のめっき工程を受託されているめっき加工メーカー様に、試作、少量生産用のめっき装置や治具のカスタマイズ製品を納入させていただいています。 大手電子デバイスメーカーにおける新製品開発や試作において、めっきプ...