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電子デバイスの研究開発に特化した東設のめっき装置製品シリーズ「Tosetz R&D Tool」
こんにちは、営業部のTZです。
この記事では、電子デバイス製品の研究開発を強力にサポートする東設の研究開発用めっき装置製品シリーズ「Tosetz R&D Tool」をご紹介します。
半導体デバイスの開発競争が激化する現在、「新製品の市場投入までのスピード」がこれまで以上に重要な価値となっています。
特にAI、データセンター向け2.5D/3D-IC、チップレット、量子コンピュータ、IoT、次世代パワーデバイスなどの先端領域では、研究開発フェーズにおける、スピーディーな試作・検証が、企業の競争力を大きく左右します。
そのため、企業の研究開発部門や、大学の研究室では、短期間でプロトタイプの試作したい、少量品でも安定したプロセスを確立したい、実験条件を柔軟に変えられる装置がほしい
というニーズが急速に高まっています。
このような背景から、東設への開発用めっき装置のお問い合わせが年々増えています。
東設では現在、大型の角基板にも対応できる、微細配線の形成が可能な実験・試作機の開発にも取り組んでいます。
12月4日読了時間: 6分


マイクロエレクトロニクスシンポジウム(MES2025)からTSV形成におけるめっきプロセスに関する発表をご紹介
エレクトロニクス実装学会主催の「マイクロエレクトロニクスシンポジウム(MES)」が9月3〜5日に大阪大学中ノ島センターで開催され、560名が参加した。弊社関連の注目研究として、まず産総研・NECによる量子コンピューター用TSV技術が紹介された。当社のめっき装置が超電導量子アニーリング回路製造に貢献し、空洞共振モード抑制に成功。もう一つは関西大学のCoMn無電解めっき技術で、Cu拡散を抑制し、TSV内部に均一なバリア膜形成を実現した研究。いずれも大規模量子回路や3D半導体の基盤技術として期待され、当社は今後も先端実装技術の発展に貢献していく方針です。
11月8日読了時間: 6分


インジウムめっき~低融点はんだ材料を用いたマイクロバンプ形成のお話
こんにちは、営業部のTZです。 この度、国内の某 センサーメーカー 様より、 インジウムバンプ形成工程用途の300mmフェイスアップ式めっき装置 のご注文を頂きました。 金属の中でも、金属と半導体の性質を持つインジウムは、半導体デバイスの材料として重要な役割を...
2024年5月2日読了時間: 4分


めっき受託加工メーカー様向けめっき装置製品のご提案
こんにちは、営業部のTZです。 弊社は 電子デバイスの配線、電極形成用途のめっき工程を受託されているめっき加工メーカー様に、試作、少量生産用のめっき装置や治具のカスタマイズ製品を納入させていただいています。 大手電子デバイスメーカーにおける新製品開発や試作において、めっきプ...
2024年3月29日読了時間: 5分

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