【ニュース】株式会社東設、日本OSAT連合会(J-OSAT)に賛助会員として入会(2025年10月1日付)
- tosetz
- 1月5日
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株式会社東設(本社:埼玉県入間市寺竹46-13、代表取締役:押部 弘、以下「東設」)は、2025年10月1日付で一般社団法人 日本OSAT連合会(J-OSAT)に賛助会員として入会したことをお知らせします。
日本OSAT連合会(J-OSAT)は、日本の半導体後工程(OSAT:Outsourced Semiconductor Assembly and Test)産業の発展と競争力強化を目的に、技術の高度化、人材育成、業界連携、情報発信などを推進する団体です。
東設はJ-OSATへの参画を通じて、先端パッケージングを中心とした“中工程”領域における技術連携を深め、国内外の顧客課題解決に貢献してまいります。

日本OSAT連合会(J-OSAT)について
半導体の製造は、回路形成を行う前工程だけでなく、チップを実装・接続し、テストを通じて最終製品へと仕上げる後工程によって成り立っています。
J-OSATは、こうした後工程領域に関わる企業・団体が連携し、国内産業の基盤強化を図ることを目的に活動しています。
AIや高性能計算(HPC)需要の拡大に伴い、後工程は単なる「組立・検査」に留まらず、高密度接続や高性能化を担う“価値の源泉”として重要性が一段と高まっています。
J-OSATはその変化の中心で、産業としての強化・発展を後押ししています。
日本OSAT連合会のホームページはこちら↓
成長が見込まれる半導体“中工程”産業:先端パッケージングとチップレット
近年、AI・HPC向け半導体では、複数の機能チップを組み合わせるチップレット技術が急速に普及しつつあります。
これにより、従来の前工程と後工程の間に位置するような製造領域——いわゆる“中工程”として、先端パッケージングの存在感が増しています。
先端パッケージングでは、以下のような高度な技術が鍵を握ります。
大面積基板上での微細配線形成(RDLなど)
多層化・高密度化に伴う高い膜厚均一性と歩留まり要求
次世代の接合技術(マイクロバンプ、Cuピラー、ハイブリッドボンディング等)への対応
特にチップレットの大型化・高性能化が進むほど、大型基板上で「高精度」「高い膜厚均一性」「量産性」を両立する配線形成技術が重要となり、めっきプロセスはまさに競争力を左右する領域となっています。
東設の狙い:大型基板×先端パッケージングを支える“めっき装置”で価値提供を強化
東設は、チップレットや先端パッケージングで求められる大型基板用途を見据え、めっき装置メーカーとして装置・プロセス両面から技術開発を進めています。
大型基板のめっきでは、微細化に加えて、基板全面での膜厚均一性、欠陥低減、量産性(スループット)など、厳しい要求条件を満たす必要があります。
東設は、こうした課題に対して、パッケージングメーカー様の試作開発の支援ならびに、装置設計・プロセス技術の両輪で取り組み、「大型基板×微細配線×優れた膜厚均一性」という次世代パッケージングの要件に応えるソリューションを提供していきます。
J-OSATに賛助会員として参画することで、東設は次の点を強化します。
後工程・中工程の最新技術動向の把握
会員企業・研究機関との連携強化(共創・協業)
装置・プロセスの高度化による国内サプライチェーンの競争力向上への貢献
チップレット時代の進展により、後工程・実装領域は“中工程”として再定義されつつあります。東設は大型基板用途のめっき装置技術を軸に、J-OSATの皆さまと連携しながら、先端パッケージング領域の技術革新と国内産業の競争力強化に貢献してまいります。
今後に向けて
東設は今後も、先端パッケージング/チップレット市場において重要性が増す大型基板対応のめっき装置の開発と、めっきプロセス/装置技術のノウハウ提供を通じて、日本の中工程・後工程産業の発展に寄与し、国内外のお客様のモノづくりを支えてまいります。
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