top of page

BLOG
ブログ
検索


プローブカードとロジウム(Rh)めっき――メモリ高積層化が招くテスト工程の難度上昇
こんにちは、営業部のTZです。 東設は、ウエハ・基板向けの電解めっき装置を、先端電子デバイスの製造現場へ数多く納入してきました。 近年拡大する生成AIへの投資は、弊社のめっき装置ビジネスにも大きな影響を及ぼしています。そこで本シリーズでは、市場の視点から、東設のめっき装置が果たす役割をご紹介します。 この記事では、HBMの高積層化・多ピン化で重要性が増すプローブカードと、プローブピン形成用ロジウムめっきについてお届けします。ご参考になれば幸いです。 HBM4の量産が本格化する2026年、半導体製造のなかで、あらためて重要性が高まっている工程があります。それが、チップの動作を出荷前に確認する「テスト工程」です。 メモリが高積層化・多ピン化するほど、テストは難しくなります。本記事では、テスト工程で使われるプローブカードの市場動向と、その微細接点を支えるRh(ロジウム)めっきの役割を解説します。 本記事は、AI需要連鎖とめっき技術の関係を俯瞰する「総論編」から分岐した詳細記事です。 この記事のポイント HBMの高積層化・多ピン化により、プローブカードの
9月29日読了時間: 7分


先端パッケージングとフェイスアップ式めっき――TSV・RDL・マイクロバンプの膜厚均一性
こんにちは、営業部のTZです。 東設は、ウエハ・基板向けの電解めっき装置を、先端電子デバイスの製造現場へ数多く納入してきました。 近年拡大する生成AIへの投資は、弊社のめっき装置ビジネスにも大きな影響を及ぼしています。 そこで本シリーズでは、市場の視点から、東設のめっき装置が果たす役割をご紹介します。 この記事では、チップレット・3次元半導体の拡大で注目される先端パッケージングと、微細配線電極形成用銅めっき、フェイスアップ式についてお届けします。ご参考になれば幸いです。 かつて、半導体の価値創出は「前工程がすべて」と言われてきました。微細化を競う前工程が、性能向上の主戦場だったためです。 しかし現在、その重心は後工程にも広がっています。複数のチップを高密度に接続する先端パッケージングは、AIチップの性能を左右する重要な技術として存在感を高めています。 本記事では、先端パッケージング市場の成長と、配線形成工程でフェイスアップ式めっきが果たす役割を解説します。AI需要連鎖とめっき技術の関係を俯瞰する「総論編」の詳細記事です。 この記事のポイント...
9月29日読了時間: 7分


AIインフラ投資で再評価されるめっき技術――HBM・HDD・先端パッケージングをつなぐ東設の技術領域
こんにちは、営業部のTZです。 aiインフラ投資で再評価されるめっき技術――hbm・hdd・先端パッケージングをつなぐ東設の技術領域東設は、ウエハ・基板向けの電解めっき装置を、先端電子デバイスの製造現場へ数多く納入してきました。 近年拡大する生成AIへの投資は、弊社のめっき装置ビジネスにも大きな影響を及ぼしています。 そこで本シリーズでは、市場の視点から、東設のめっき装置が果たす役割をご紹介します。 この記事では、生成AI投資がHBM、HDD(ハードディスクドライブ)、先端パッケージング、検査工程へ広がるなかで、東設のめっき装置が担う役割についてお届けします。ご参考になれば幸いです。 生成AIへの投資拡大を背景に、半導体産業は大きな転換期を迎えています。 注目されるのは、最先端ロジックチップだけではありません。 メモリ、ストレージ、先端パッケージング、さらに検査工程に至るまで、製造プロセスのさまざまな場面で「めっき」技術の重要性が高まっています。 本記事では、AIインフラ投資が生み出す需要の広がりを俯瞰します。 そのうえで、各工程の接点を支えるめ
9月29日読了時間: 7分


AI時代のHDD・TMRと磁性めっき――再評価される磁気デバイス製造
こんにちは、営業部のTZです。 東設は、ウエハ・基板向けの電解めっき装置を、先端電子デバイスの製造現場へ数多く納入してきました。 近年拡大する生成AIへの投資は、弊社のめっき装置ビジネスにも大きな影響を及ぼしています。そこで本シリーズでは、市場の視点から、東設のめっき装置が果たす役割をご紹介します。 この記事では、AIデータセンター需要で再評価されるHDDと、磁気センサへ広がる磁性薄膜めっきについてお届けします。ご参考になれば幸いです。 「HDDは古い技術」と考えられることがあります。しかし、AI時代の需給データは、その見方を大きく変えつつあります。 一方、iPhoneのカメラに搭載される手ブレ補正用のTMRセンサーも、HDDと同じ「磁性めっき」という技術軸につながっています。 本記事では、HDDとTMRセンサーという二つの磁気デバイスの成長を、磁性めっきという共通の視点から解説します。AI需要連鎖とめっき技術の関係を俯瞰する「総論編」の詳細記事です。 この記事のポイント AI向けデータセンターの容量需要が、ニアラインHDDの需要を押し上げていま
9月29日読了時間: 7分


【ニュース】株式会社東設、日本OSAT連合会(J-OSAT)に賛助会員として入会(2025年10月1日付)
株式会社東設(本社:埼玉県入間市寺竹46-13、代表取締役:押部 弘、以下「東設」)は、 2025年10月1日付で一般社団法人 日本OSAT連合会(J-OSAT)に賛助会員として入会 したことをお知らせします。 日本OSAT連合会(J-OSAT)は、日本の半導体後工程(OSAT:Outsourced Semiconductor Assembly and Test)産業の発展と競争力強化を目的に、技術の高度化、人材育成、業界連携、情報発信などを推進する団体です。 東設はJ-OSATへの参画を通じて、先端パッケージングを中心とした“中工程”領域における技術連携を深め、国内外の顧客課題解決に貢献してまいります。 日本OSAT連合会(J-OSAT)について 半導体の製造は、回路形成を行う前工程だけでなく、チップを実装・接続し、テストを通じて最終製品へと仕上げる後工程によって成り立っています。 J-OSATは、こうした後工程領域に関わる企業・団体が連携し、国内産業の基盤強化を図ることを目的に活動しています。 AIや高性能計算(HPC)需要の拡大に
1月5日読了時間: 4分


マイクロエレクトロニクスシンポジウム(MES2025)からTSV形成におけるめっきプロセスに関する発表をご紹介
エレクトロニクス実装学会主催の「マイクロエレクトロニクスシンポジウム(MES)」が9月3〜5日に大阪大学中ノ島センターで開催され、560名が参加した。弊社関連の注目研究として、まず産総研・NECによる量子コンピューター用TSV技術が紹介された。当社のめっき装置が超電導量子アニーリング回路製造に貢献し、空洞共振モード抑制に成功。もう一つは関西大学のCoMn無電解めっき技術で、Cu拡散を抑制し、TSV内部に均一なバリア膜形成を実現した研究。いずれも大規模量子回路や3D半導体の基盤技術として期待され、当社は今後も先端実装技術の発展に貢献していく方針です。
2025年11月8日読了時間: 6分


3次元半導体の国際学会3DIC2024仙台に出展しました!
こんにちは、営業部のTZです。 ちょっと本ブログ記事の掲載が遅れてしまったのですが・・・。 2024年9月25日~27日に仙台市で開催されました3次元半導体の研究開発に関する国際学会IEEE International 3D Systems Integration Conference(3DIC)に出展いたしました! 本学会 は IEEE EPS Japan Chapterが主催しており、ホテルメトロポリタン仙台および仙台国際ホテルにて開催されました。 国内外の大学や企業などから220名もの研究者が参加、活発な質疑が行われました。 3DICはその名の通り、3次元集積回路(3D IC)に関する最新の研究成果や技術動向を共有する場となり、主に チップレット技術、光インターコネクト、マイクロダイハンドリング、新奇基板材料に焦点を当てた内容となっていました。 具体的なプログラムは こちら 。 3DIC 2024 公式HP 弊社はめっき装置と脱気システムの展示をしました 弊社は今回の出展におきまして、2つの製品についてパネル展示を行いました。 ウエハ/樹脂
2025年1月19日読了時間: 4分


日本磁気学会 第251回研究会「機能性磁気デバイスのための磁性薄膜の成膜技術」で弊社齊木が講演をさせていただきました!
こんにちは、営業部のTZです。 2024年11月18日に開催されました日本磁気学会第251回研究会(テーマ:「機能性磁気デバイスのための磁性薄膜の成膜技術」)において、弊社研究開発部の齊木が「磁気センサ及び電子デバイス用磁性めっき技術」と題し、以下の内容で講演を行いました。...
2025年1月14日読了時間: 4分


電子デバイス産業新聞 2024/10/3 (2619号)に弊社押部社長のインタビュー記事が掲載されました!~電解めっき装置への引き合い増加!半導体パッケージ関連で大判化も~
こんにちは、営業部のTZです。 この度、産業タイムズ社様より弊社社長の押部弘をインタビューいただき、 電子デバイス産業新聞 2024/10/3 (2619号)に記事を掲載いただきました! 弊社の強み、最新動向、将来戦略、そして業界内での我々の立ち位置について熱く語っておりま...
2024年10月29日読了時間: 3分


中小企業 研究開発展(サポイン・サビサポ)に出展します!
こんにちは、営業部のTZです。 2022年12月14日~12月16日に東京ビッグサイト(東7ホール)で開催されます「中小企業 研究開発(サポイン/サビサポ)展」に出展いたします! 今回、出展内容として、平成26年度サポインで採択されました、計画名「低消費電力半導体の貫通電極...
2022年12月9日読了時間: 3分


Φ8インチ極深孔TSVウエハへの無電解バリアシードめっき膜の形成
こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、無電解CoWBめっきによりバリア層形成を行い、電解Cuめっきによるコンフォーマルな配線形成により、低コストなTSV形成技術を実現させる、弊社めっき技術開発のお話をさせていただこうと思います。...
2022年5月15日読了時間: 4分


めっきによるオールウェット微細配線の形成技術開発のお話
こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、無電解めっきによるCu拡散バリア層、シード層形成から、電解めっきによる配線形成を1台の装置で一気通貫に処理可能なめっき装置及びプロセス開発のお話をさせていただこうと思います。 最先端デバイスのモノづくりに不可欠なめっきプロセス...
2021年5月28日読了時間: 4分


HPに「デモ・試作・受託加工サービス」のページを追加しました
こんにちは、営業部のTZです。 この度、HPのメニューに新ページ「デモ・試作・受託加工サービス」を追加しました! 弊社は従来ウェットプロセス装置の設計開発、製造販売をメインにやってきましたが、電子デバイスメーカーのお客様の新製品開発や、量産装置の仕様検討の支援を目的として、...
2021年5月21日読了時間: 3分


他社製のめっき装置用治具を弊社で改良設計、製作しました
こんにちは、営業部のTZです。 現在、某ファンドリーメーカー様より、シリコンウエハ、ガラスウエハ、片面めっき用/両面めっき用、電解めっき用/無電解めっき用などの様々なめっき治具製作のご依頼をいただいております。 本記事ではその内容を少しご紹介させていただきたく、お付き合いく...
2021年3月4日読了時間: 3分


シリコン貫通電極(TSV)形成に貢献するめっき技術開発のお話
こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、次世代電子デバイスのキーテクノロジーであるシリコン貫通電極(TSV)形成を低コストで実現させる弊社めっき技術開発のお話をさせていただこうと思います。 チップ間の配線距離の最短化に必要なテクノロジーとなるシリコン貫通電極(TSV...
2021年2月26日読了時間: 6分

CONTACT
問い合わせ
お客様からの弊社製品、サービスに関するご相談、お問い合わせを承っております。
一度お話をお聞かせ下さい。弊社営業部が迅速にご対応致します。
電話
042-519-3037
【受付時間】月~金 9:00~18:00
(土日祝・年末年始は休み)
メール
bottom of page


