AIインフラ投資で再評価されるめっき技術――HBM・HDD・先端パッケージングをつなぐ東設の技術領域

9月29日

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こんにちは、営業部のTZです。

aiインフラ投資で再評価されるめっき技術――hbm・hdd・先端パッケージングをつなぐ東設の技術領域東設は、ウエハ・基板向けの電解めっき装置を、先端電子デバイスの製造現場へ数多く納入してきました。

近年拡大する生成AIへの投資は、弊社のめっき装置ビジネスにも大きな影響を及ぼしています。

そこで本シリーズでは、市場の視点から、東設のめっき装置が果たす役割をご紹介します。

この記事では、生成AI投資がHBM、HDD（ハードディスクドライブ）、先端パッケージング、検査工程へ広がるなかで、東設のめっき装置が担う役割についてお届けします。ご参考になれば幸いです。

生成AIへの投資拡大を背景に、半導体産業は大きな転換期を迎えています。

注目されるのは、最先端ロジックチップだけではありません。

メモリ、ストレージ、先端パッケージング、さらに検査工程に至るまで、製造プロセスのさまざまな場面で「めっき」技術の重要性が高まっています。

本記事では、AIインフラ投資が生み出す需要の広がりを俯瞰します。

そのうえで、各工程の接点を支えるめっき技術の役割と、東設が保有する技術領域との関わりを解説します。

この記事のポイント

HBM、ニアラインHDD、先端パッケージングの各市場で、AI投資を背景とした需要が拡大しています。
めっきは、磁性薄膜、微細配線電極、プローブピンの形成を支える基盤技術です。
東設は、磁気デバイス用途の磁性薄膜めっき、微細配線電極形成用途の銅めっき、プローブピン形成用途のロジウムめっきで成長市場に対応します。
フェイスアップ式は、これらすべての用途に共通するめっき方式です。

AIメモリのスーパーサイクルとHBM4の量産

2026年は、広帯域メモリ（HBM）の第4世代である「HBM4」が、本格的な量産段階に入

る節目の年です。

SK hynix、Samsung、Micronの大手メモリメーカーは、HBM4の量産・出荷体制を整えています。NVIDIAのVera Rubinプラットフォーム向けに、SK hynixが前倒しで出荷を始めたとの報道もあります（GENZ TECH）。

3社による量産・出荷競争が本格化する一方で、需給はタイトな状態が続いています（Silicon Analysts）。

市場規模も急拡大する見通しです。

Micronは、HBM市場が2025年の約350億ドルから2028年には約1,000億ドル規模へ拡大し、年平均40％前後で成長するとの見方を示しています（Tech Times、Futurum）。

HBMは、従来のメモリサイクルとは異なる「スーパーサイクル」の起点にあります。

その影響は、後工程や周辺工程にも広がりつつあります。

ニアラインHDDの再評価

HBMの成長と並行して、レガシー技術と見なされがちだったHDDにも再び注目が集まっています。

生成AIの学習データや推論結果を保存するために、データセンターでは大容量ストレージの需要が急拡大しています。

その受け皿となるニアラインHDDでは、供給が需要に追いつかない状況が続いています。

独立系の価格追跡データによると、HDDの平均価格は2025年9月から2026年1月までの4か月間で約46％上昇しました。モデルによっては、23〜66％の上昇が確認されています（プライシー）。

Western Digitalについては、2026年分の生産枠がほぼ埋まり、2027〜2028年までの長期供給契約が積み上がっているとの報道もあります（Servnet）。

TrendForceは、2026年4〜6月期のニアラインHDD契約価格が前四半期比で約10％上昇したと伝えています。また、ハイパースケーラーが出荷量の約6割を占める状況でも、十分な供給を確保できていないと指摘しています（TrendForce）。

HDDは、もはや「過去の技術」ではありません。

AIインフラを支える現役の基幹部品として、あらためて評価されています。

先端パッケージング市場の拡大

半導体における価値創出の重心は、微細化を担う前工程から、チップを統合・接続する後工程へと移りつつあります。

チップレット、ファンアウトパッケージング、TSV（シリコン貫通電極）、RDL（再配線層）、マイクロバンプなど、複数チップを高密度に接続する技術への投資が加速しています。

市場規模の算定範囲は調査会社によって異なりますが、先端パッケージング市場は2026〜2035年にかけて、年平均7〜11％前後で成長するとの予測が共通しています。

GIIは年平均成長率（CAGR）11.3％を予測し（GII）、LucintelはCAGR7.8％と見込んでいます（Lucintel）。

Yole Groupは、2025年の550億ドル規模から2031年には1,200億ドル超へ拡大すると予測しています（Advanced Packaging Magazine）。複数の予測が、堅調な市場拡大を示しています。

国内でも、先端パッケージングへの投資が進んでいます。Rapidusは2026年2月に官民合計2,676億円の資金調達を完了しました。NEDOの2026年度計画では、チップレットやパッケージ設計・製造技術の開発も承認されています（Tom's Hardware）。

AI需要が生む二つの需要連鎖

AIインフラ投資は、単一の工程だけに影響するものではありません。大きく二つの需要系統を通じて、半導体関連の幅広い領域へ波及しています。

第一の系統は、AIアクセラレータの高性能化に連動する流れです。AIチップで求められる帯域幅の向上が、HBMの高積層化を促します。同時に、チップレットやファンアウトパッケージングなど、先端パッケージングの採用を後押しします。

さらに、複雑化するメモリを検査するために、プローブカードでは微細化・多ピン化が進みます。RDL、TSV、マイクロバンプの配線形成や、プローブカードの微細接点形成では、均一性と耐久性を両立する精密めっきが求められます。

第二の系統は、データセンターの容量需要に連動する流れです。AIデータの保存需要がニアラインHDDの逼迫を招き、磁気ヘッドの生産拡大を促しています。

同時に、AppleやTDKが進めるTMR（トンネル磁気抵抗）センサーの開発・量産でも、磁性膜の形成技術が求められます。HDDの磁気ヘッドとTMRセンサーをつなぐ技術軸が、磁性めっきです。

このように、めっきは特定の工程に閉じた技術ではありません。

AI需要連鎖の各接点を支える「つなぎ目の技術」として位置づけられます。

東設が対応する3つのめっき技術領域

東設は、AIインフラ投資による需要の接点に対応する、複数のめっき技術領域を保有しています。フェイスアップ式は、下記3つの用途すべてに共通するめっき方式です。基板の加工面を上に向けて処理することで、めっき液の流れや気泡の抜けを整え、膜厚の均一性を高めます。

磁気デバイス用途の磁性薄膜めっき：HDDの磁気ヘッド製造と、Apple・TDKなどが手がけるTMRセンサー製造の双方に関わる技術です。東設は、磁性薄膜の形成に関する技術知見を長年にわたり蓄積しています。
微細配線電極形成用途の銅めっき：先端パッケージングにおけるTSV、RDL、マイクロバンプの微細配線電極形成では、膜厚均一性が歩留まりを大きく左右します。銅めっきは、この配線形成を担う重要な技術です。
プローブピン形成用途の硬質金属めっき：メモリの高積層化・多ピン化に伴い、プローブカードのプローブピンには高い耐摩耗性と接触安定性が求められます。ロジウムめっきは、プローブピンの形成と耐久性向上に寄与します。