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プローブカードとロジウム(Rh)めっき――メモリ高積層化が招くテスト工程の難度上昇
こんにちは、営業部のTZです。 東設は、ウエハ・基板向けの電解めっき装置を、先端電子デバイスの製造現場へ数多く納入してきました。 近年拡大する生成AIへの投資は、弊社のめっき装置ビジネスにも大きな影響を及ぼしています。そこで本シリーズでは、市場の視点から、東設のめっき装置が果たす役割をご紹介します。 この記事では、HBMの高積層化・多ピン化で重要性が増すプローブカードと、プローブピン形成用ロジウムめっきについてお届けします。ご参考になれば幸いです。 HBM4の量産が本格化する2026年、半導体製造のなかで、あらためて重要性が高まっている工程があります。それが、チップの動作を出荷前に確認する「テスト工程」です。 メモリが高積層化・多ピン化するほど、テストは難しくなります。本記事では、テスト工程で使われるプローブカードの市場動向と、その微細接点を支えるRh(ロジウム)めっきの役割を解説します。 本記事は、AI需要連鎖とめっき技術の関係を俯瞰する「総論編」から分岐した詳細記事です。 この記事のポイント HBMの高積層化・多ピン化により、プローブカードの
9月29日読了時間: 7分


先端パッケージングとフェイスアップ式めっき――TSV・RDL・マイクロバンプの膜厚均一性
こんにちは、営業部のTZです。 東設は、ウエハ・基板向けの電解めっき装置を、先端電子デバイスの製造現場へ数多く納入してきました。 近年拡大する生成AIへの投資は、弊社のめっき装置ビジネスにも大きな影響を及ぼしています。 そこで本シリーズでは、市場の視点から、東設のめっき装置が果たす役割をご紹介します。 この記事では、チップレット・3次元半導体の拡大で注目される先端パッケージングと、微細配線電極形成用銅めっき、フェイスアップ式についてお届けします。ご参考になれば幸いです。 かつて、半導体の価値創出は「前工程がすべて」と言われてきました。微細化を競う前工程が、性能向上の主戦場だったためです。 しかし現在、その重心は後工程にも広がっています。複数のチップを高密度に接続する先端パッケージングは、AIチップの性能を左右する重要な技術として存在感を高めています。 本記事では、先端パッケージング市場の成長と、配線形成工程でフェイスアップ式めっきが果たす役割を解説します。AI需要連鎖とめっき技術の関係を俯瞰する「総論編」の詳細記事です。 この記事のポイント...
9月29日読了時間: 7分


AI時代のHDD・TMRと磁性めっき――再評価される磁気デバイス製造
こんにちは、営業部のTZです。 東設は、ウエハ・基板向けの電解めっき装置を、先端電子デバイスの製造現場へ数多く納入してきました。 近年拡大する生成AIへの投資は、弊社のめっき装置ビジネスにも大きな影響を及ぼしています。そこで本シリーズでは、市場の視点から、東設のめっき装置が果たす役割をご紹介します。 この記事では、AIデータセンター需要で再評価されるHDDと、磁気センサへ広がる磁性薄膜めっきについてお届けします。ご参考になれば幸いです。 「HDDは古い技術」と考えられることがあります。しかし、AI時代の需給データは、その見方を大きく変えつつあります。 一方、iPhoneのカメラに搭載される手ブレ補正用のTMRセンサーも、HDDと同じ「磁性めっき」という技術軸につながっています。 本記事では、HDDとTMRセンサーという二つの磁気デバイスの成長を、磁性めっきという共通の視点から解説します。AI需要連鎖とめっき技術の関係を俯瞰する「総論編」の詳細記事です。 この記事のポイント AI向けデータセンターの容量需要が、ニアラインHDDの需要を押し上げていま
9月29日読了時間: 7分


【ニュース】株式会社東設、日本OSAT連合会(J-OSAT)に賛助会員として入会(2025年10月1日付)
株式会社東設(本社:埼玉県入間市寺竹46-13、代表取締役:押部 弘、以下「東設」)は、 2025年10月1日付で一般社団法人 日本OSAT連合会(J-OSAT)に賛助会員として入会 したことをお知らせします。 日本OSAT連合会(J-OSAT)は、日本の半導体後工程(OSAT:Outsourced Semiconductor Assembly and Test)産業の発展と競争力強化を目的に、技術の高度化、人材育成、業界連携、情報発信などを推進する団体です。 東設はJ-OSATへの参画を通じて、先端パッケージングを中心とした“中工程”領域における技術連携を深め、国内外の顧客課題解決に貢献してまいります。 日本OSAT連合会(J-OSAT)について 半導体の製造は、回路形成を行う前工程だけでなく、チップを実装・接続し、テストを通じて最終製品へと仕上げる後工程によって成り立っています。 J-OSATは、こうした後工程領域に関わる企業・団体が連携し、国内産業の基盤強化を図ることを目的に活動しています。 AIや高性能計算(HPC)需要の拡大に
1月5日読了時間: 4分


電子デバイスの研究開発に特化した東設のめっき装置製品シリーズ「Tosetz R&D Tool」
こんにちは、営業部のTZです。
この記事では、電子デバイス製品の研究開発を強力にサポートする東設の研究開発用めっき装置製品シリーズ「Tosetz R&D Tool」をご紹介します。
半導体デバイスの開発競争が激化する現在、「新製品の市場投入までのスピード」がこれまで以上に重要な価値となっています。
特にAI、データセンター向け2.5D/3D-IC、チップレット、量子コンピュータ、IoT、次世代パワーデバイスなどの先端領域では、研究開発フェーズにおける、スピーディーな試作・検証が、企業の競争力を大きく左右します。
そのため、企業の研究開発部門や、大学の研究室では、短期間でプロトタイプの試作したい、少量品でも安定したプロセスを確立したい、実験条件を柔軟に変えられる装置がほしい
というニーズが急速に高まっています。
このような背景から、東設への開発用めっき装置のお問い合わせが年々増えています。
東設では現在、大型の角基板にも対応できる、微細配線の形成が可能な実験・試作機の開発にも取り組んでいます。
2025年12月4日読了時間: 6分


日本磁気学会 第251回研究会「機能性磁気デバイスのための磁性薄膜の成膜技術」で弊社齊木が講演をさせていただきました!
こんにちは、営業部のTZです。 2024年11月18日に開催されました日本磁気学会第251回研究会(テーマ:「機能性磁気デバイスのための磁性薄膜の成膜技術」)において、弊社研究開発部の齊木が「磁気センサ及び電子デバイス用磁性めっき技術」と題し、以下の内容で講演を行いました。...
2025年1月14日読了時間: 4分


インジウムめっき~低融点はんだ材料を用いたマイクロバンプ形成のお話
こんにちは、営業部のTZです。 この度、国内の某 センサーメーカー 様より、 インジウムバンプ形成工程用途の300mmフェイスアップ式めっき装置 のご注文を頂きました。 金属の中でも、金属と半導体の性質を持つインジウムは、半導体デバイスの材料として重要な役割を...
2024年5月2日読了時間: 4分


これからの電子デバイスの高度な実装に必要とされる「はんだめっき」のお話
こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、近年の電子デバイス製品の製造、実装にて要求されている、配線の微細化、高密度化に対し、弊社の電解めっき法によるはんだ形成プロセスのお話をさせていただこうと思います。 電子デバイスの実装に必要な「はんだ」とは?...
2022年6月18日読了時間: 4分


低応力ニッケルめっきによる電鋳プロセス技術開発のお話
こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、様々な電子デバイス製品分野で応用されているニッケル電鋳(エレクトロフォーミング:Electroforming)プロセスについて、弊社の低応力ニッケルめっき技術開発のお話をさせていただこうと思います。...
2021年5月21日読了時間: 4分


国内の電子部品メーカー様から380mm角基板両面めっき装置を受注しました
こんにちは、営業部のTZです。 この度、国内の某電子部品メーカー様の量産ライン向けに380mm角基板の自動搬送式両面電解めっき装置のご注文を頂きました。 電子部品のめっき配線や電極の形成工程では、±10%以内の高い膜厚均一性が求められますが、従来の大型基板用めっき装置では実...
2021年3月12日読了時間: 3分


他社製のめっき装置用治具を弊社で改良設計、製作しました
こんにちは、営業部のTZです。 現在、某ファンドリーメーカー様より、シリコンウエハ、ガラスウエハ、片面めっき用/両面めっき用、電解めっき用/無電解めっき用などの様々なめっき治具製作のご依頼をいただいております。 本記事ではその内容を少しご紹介させていただきたく、お付き合いく...
2021年3月4日読了時間: 3分

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